参照标准：
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探法>>
参数 资料
1.电阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.电 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.电导率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 测量±（0.05%读数±5字）
5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%读数±2字
8.显示方式：液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.
9.温度要求：23℃±1℃
10.电源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 测量平台参数如下：
1）.可测硅芯、检验棒尺寸：直径4~22㎜ （其他规格可定制）
2）.探头探与试样接触位置重复，无横向移动。
3）.两探测试探。探头间距1.59mm（其他规格可定制）；探机械游率：±0.3%。
4）.探直径0.8㎜；探压力总6-12N，探材料：钨，
5）.探间及探与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧
12.标配外选购项：a.pc软件1套；b.标准电阻1件；c.电脑和
参照标准：
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探法>>
参数 资料
1.电阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.电 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.电导率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 测量±（0.05%读数±5字）
5.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.电流输出：直流电流 0～1000mA 连续可调，
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%读数±2字
8.显示方式：液晶显示：电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.
9.温度要求：23℃±1℃
10.电源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 测量平台参数如下：电阻率测试仪电阻率测试仪电阻率测试仪电阻率测试仪
1）.可测硅芯、检验棒尺寸：直径4~22㎜ （其他规格可定制）
2）.探头探与试样接触位置重复，无横向移动。
3）.两探测试探。探头间距1.59mm（其他规格可定制）；探机械游率：±0.3%。
4）.探直径0.8㎜；探压力总6-12N，探材料：钨，
5）.探间及探与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧
12.标配外选购项：a.pc软件1套；b.标准电阻1件；c.电脑和
TEL:13311026698
24H服务电话：
13311026698